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有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档那样的高内阻档位?

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发表于 2011-3-7 10:40:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档约>3000MΩ那样的高内阻档位?有没有人有这方面的资料,看了下289的手册,也Google了都没有找到相关的资料
发表于 2011-3-7 11:03:42 | 显示全部楼层
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发表于 2011-3-7 11:27:53 | 显示全部楼层
是多高?
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发表于 2011-3-7 11:31:00 | 显示全部楼层
220MV 内阻?
是不是说要很高内阻的低压档?
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发表于 2011-3-7 11:31:44 | 显示全部楼层
FLUKE289最小档是5V,对就的是10M,关机不变,毫伏档是50mV,对应5M,关机后为2M
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 楼主| 发表于 2011-3-7 11:35:40 | 显示全部楼层

回 3楼(baof) 的帖子

220mv当然不是内阻,我还不至于犯这样的错误,说明书上写的UT61E 220mv档的内阻是约>3000MΩ
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发表于 2011-3-7 13:50:48 | 显示全部楼层
貌似 只有FLUKE 867B 有毫伏档 高内阻扩展功能
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发表于 2011-3-7 16:21:25 | 显示全部楼层

Re:回 3楼(baof) 的帖子

引用第5楼phoenix2005于2011-03-07  11:35发表的 回 3楼(baof) 的帖子 :
220mv当然不是内阻,我还不至于犯这样的错误,说明书上写的UT61E 220mv档的内阻是约>3000MΩ

有没有实测是多少?
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 楼主| 发表于 2011-3-7 16:36:39 | 显示全部楼层

回 7楼(redtony) 的帖子

没测,只是看手册上写的
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发表于 2011-3-7 20:19:02 | 显示全部楼层
我刚才翻了一下Fluke 289的中文说明书(第75页),直流毫伏档输入阻抗也是10M。

各位请注意毫伏单位的写法,不是MV,也不是mv,而是mV。
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发表于 2011-3-7 20:35:36 | 显示全部楼层
还是张老师严谨啊,以前写论文不注意,导师审论文时给批了好几回!
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发表于 2011-3-7 21:54:00 | 显示全部楼层
引用楼主phoenix2005于2011-03-07 10:40发表的 有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档那样的高内阻档位? :
有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档约>3000MΩ那样的高内阻档位?有没有人有这方面的资料,看了下289的手册,也Google了都没有找到相关的资料

什么>3000MΩ,国人的毛病而已,喜欢夸大。对于应用而言,对输入阻抗的要求mV档总是比V档的时候低一点。
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发表于 2011-3-7 23:16:21 | 显示全部楼层
我有FLUKE289和UT70C两块万用表,用289红黑相互对应测试70C的mV档内阻是130M以上,用70C测试289的mV档内阻是10M,既然未标明mV档高内阻的70C内阻都是130M以上那标明高内阻的UT61E真有可能在mV档的内阻在3000M,就算国内爱夸大扣除水分500M总应该有的,从这点来说289还真不如70C。
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发表于 2011-3-7 23:34:54 | 显示全部楼层
这些天拆弄一台横河7532-02自动量程数字万用表(3位半),追踪有关线路,猛然发觉,有相当数量的自动量程的万用表(比如使用JRC9210,TSC815等IC的万用表,也包括这台横河,用的是“M6306”),其最高灵敏度的DCV挡,输入阻抗均为IC的输入阻抗(JFET或BI-MOSFET类),非常之高。而不是标称的10M欧姆——其他DCV挡靠10M欧姆作为串联电阻,来制作相应的衰减器的

本人实测,在此表串入330K的电阻之后,原显示174.9mV电压,仅下降为174.5mV,倒算过来,此挡(最高灵敏度的300mV挡)DC输入阻抗约为144M欧姆。

若横河的芯片输入管为JFET,而Ut61E用的是BI-MOSFET之类、绝缘上又能做得足够好的话,是有可能达到3G欧的。或者说,(如绝缘上未能做到)是允许他号称为3G欧姆的。呵呵
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发表于 2011-3-8 02:10:35 | 显示全部楼层
引用第14楼小鬼头于2011-03-07  23:34发表的  :
……
本人实测,在此表串入330K的电阻之后,原显示174.9mV电压,仅下降为174.5mV,倒算过来,此挡(最高灵敏度的300mV挡)DC输入阻抗约为144M欧姆。

若横河的芯片输入管为JFET,而Ut61E用的是BI-MOSFET之类、绝缘上又能做得足够好的话,是有可能达到3G欧的。或者说,(如绝缘上未能做到)是允许他号称为3G欧姆的。呵呵
.......
看了您的帖子,顺手实测了一下手头正开着当工作表的松下VP-2660B四位半台表的2V档,用一节读数稳定在1.2626V的镍氢电池串联3MΩ电阻后,读数只下降到1.2625V,然后在1.2625~1.2626之间跳动,照这个算法来计算,这表的2V档阻抗接近40GΩ……
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发表于 2011-3-8 02:27:47 | 显示全部楼层
其实,如果某档位输入未并联分压电阻,且未经过运放,这档的阻抗基本就是AD芯片本身的阻抗,一般来说都是G欧级的。

如果某档位输入后未并联分压电阻,但是经过了运放,这档的阻抗基本就是输入运放的阻抗了,一般就是几十M欧到几百M欧之间,就像楼上鬼版的表200mV档144MΩ,我的那个松下台表200mV档56MΩ(用DT930F+的200MΩ档实测)

而一些结构简单的低端表,电压档输入端是直接和分压排阻的两端相连接的,然后通过切换分压排阻上的输出脚来切换量程,这类表的电压档的输入阻抗就基本是固定的了,一般常见的都是10M欧。
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 楼主| 发表于 2011-3-8 09:35:50 | 显示全部楼层
多谢各位的解释,心里有数了
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 楼主| 发表于 2011-3-8 14:23:40 | 显示全部楼层
用最大量程2000MΩ的万用表UT602测不出UT61E的220mV档的电阻,用289的电导档位测了下,得14.05nS,昏迷中。。。重新用289的电阻档测量得到71.1xMΩ,最后一位不停跳动,不知道是UT61E的说明书胡吹大气还是这么高的内阻数字万用表没法测量,等高人解惑
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发表于 2011-3-8 15:11:49 | 显示全部楼层
用两块万用表开机状态对测输入内阻,要用“复杂直流电路”概念来分析,而不能用简单的欧姆定律得结果。
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发表于 2011-3-8 21:17:30 | 显示全部楼层
引用第16楼i387dx于2011-03-08  02:27发表的  :
这类表的电压档的输入阻抗就基本是固定的了,一般常见的都是10M欧。
准确一点来说,是约为10M欧姆。

从其误衰减器结构看,理论值大致具体为:
比最高灵敏度挡低一级的DCV挡(3V挡),为11.11M欧姆,
再次的 30V挡,为10.10M——10M与101K组成的分压器
再再次的300V挡,为10.01M——10M与10K组成的分压器
最后是1000V挡,为10.00M——10M与1K组成的分压器
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发表于 2011-3-9 16:56:01 | 显示全部楼层
引用第20楼小鬼头于2011-03-08  21:17发表的  :

准确一点来说,是约为10M欧姆。

从其误衰减器结构看,理论值大致具体为:
比最高灵敏度挡低一级的DCV挡(3V挡),为11.11M欧姆,
.......
其实,很多基于EBG1776排阻作为分压电阻的手持式4位半表,其阻抗是正好的10MΩ的。

很多4位半手持表中常用的EBG1776排阻中的一组电阻,数值分别为:
9MΩ、900KΩ、90K、9K、1K,
上述阻值相加正好就是10M。

在表的电路结构中看,外界输入的电压直接和排阻两端相连;换挡时,内部AD的输入端通过开关切换排阻的各个抽头:在1K端得到10000:1的分压比;在(9K+1K)端得到1000:1的分压比;在(90K+9K+1K)端得到100:1的分压比;在(900K+90K+9K+1K)端得到10:1的分压比。

由于外部输入端始终和排阻的两端相连,换挡只是切换排阻的各个抽头,而内部AD本身的输入阻抗是GΩ级别的,无论AD的输入端连接到那个排阻抽头上,整个排阻的电阻变化都小到可以忽略不计的程度。

因此,这种使用1776排阻的,靠切换排阻引脚来换挡而输入端始终和排阻两端相连的数字表,其各档的阻抗都是一样的10M欧的。像我们常见的DT930F+、VC9806+之类7129方案的手持式4位半数字表,基本上都是这个样子的……
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发表于 2011-3-9 21:05:29 | 显示全部楼层
嗯。你说的也很对。看来,我们各自说的是不同的分压器(衰减器)

如果分压器是9MΩ、900KΩ、90K、9K、1K一路串下去的结构,那么,输入阻抗确实是10M欧姆。

而我说的那几个电路,均是有一只10M串在IC输入端,另有1.1M、101k、10k、1k四只电阻接到IC的不同引脚上,由IC内部开关选通其中一只,然后再与前面10M电阻串联,从而构成分压器的情形。采用JRC的NJU920X系列、TSC815芯片3位半数字表(其中一个IC还是4位半芯片)多采用这种分压器结构。
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发表于 2011-3-9 21:13:00 | 显示全部楼层
补一个图。就是我说的那种IC外接分压器图
分压器.jpg
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发表于 2011-3-9 21:55:41 | 显示全部楼层
说明书有的,就有。说明书没写的,就没有。
老爷表Fluke 8060A 就有(我猜8050A台式也应该有),DC 200mV档和2V档都可以高阻输入(琴键位置和标准的200mV、2V档有所区别),根据说明书,内阻分别是1G和10G
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发表于 2011-3-9 22:04:39 | 显示全部楼层
引用第21楼i387dx于2011-03-09  16:56发表的  :

其实,很多基于EBG1776排阻作为分压电阻的手持式4位半表,其阻抗是正好的10MΩ的。

很多4位半手持表中常用的EBG1776排阻中的一组电阻,数值分别为:
9MΩ、900KΩ、90K、9K、1K,
.......
对了。想了一事,你这种结构的表应该是手动量程万用表所采用的(而我所说的结构,前面已讲到了,是自动量程万用表用的)。否则,以这种结构与电子开关相配,在高压挡位时,与9MΩ、900KΩ电阻相接处的半导体器件需耐受甚高的电压,这样,会导致IC制造的成本大大增加。
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发表于 2011-3-11 19:09:35 | 显示全部楼层
引用第25楼小鬼头于2011-03-09  22:04发表的  :

对了。想了一事,你这种结构的表应该是手动量程万用表所采用的(而我所说的结构,前面已讲到了,是自动量程万用表用的)。否则,以这种结构与电子开关相配,在高压挡位时,与9MΩ、900KΩ电阻相接处的半导体器件需耐受甚高的电压,这样,会导致IC制造的成本大大增加。
貌似,的确是这个理儿,常见的用这个结构的DT890、DT930、VC9806、MY65等等,都是手动的……
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发表于 2011-9-15 12:49:20 | 显示全部楼层
引用楼主phoenix2005于2011-03-07  10:40发表的 有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档那样的高内阻档位? :
有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档约>3000MΩ那样的高内阻档位?有没有人有这方面的资料,看了下289的手册,也Google了都没有找到相关的资料

可以明确地告诉你,ut61e的220mv档确实内阻较高。 但这么高的内阻并没有给优利德万用表带来高精度和高准确度,相反,毫伏档内阻比它低得多的胜利vc86e的实测精度远远优于优利德ut61e。楼主想以内阻高来对比结论:fluke不如优利德吗?没明白用意,呵呵
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发表于 2011-9-15 15:15:47 | 显示全部楼层
引用第27楼只抽555于2011-09-15  12:49发表的  :


可以明确地告诉你,ut61e的220mv档确实内阻较高。 但这么高的内阻并没有给优利德万用表带来高精度和高准确度,相反,毫伏档内阻比它低得多的胜利vc86e的实测精度远远优于优利德ut61e。楼主想以内阻高来对比结论:fluke不如优利德吗?没明白用意,呵呵
你用fluke量量1M以上电阻两端的电压试试,这时神一样的fluke就是个狗屁。
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发表于 2011-9-17 02:02:34 | 显示全部楼层
引用第28楼newdc于2011-09-15  15:15发表的  :

你用fluke量量1M以上电阻两端的电压试试,这时神一样的fluke就是个狗屁。
我从来不量1M电阻两端的电压,同样你用ut的高阻表测量10G电阻两端的电压也一样狗屁不是。拿极端的例子想证明什么呢,只能说你用得不是地方
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发表于 2011-9-17 23:22:22 | 显示全部楼层
试了下TX3,有mV高阻模式,普通模式下各档全程阻抗大于10M(确定),mV档高阻模式下远远大于10M,估计大于等于10G(估计)。

将TX3和7129表电压档(10M内阻)串联,接于400mV,TX3普通模式下,2表平分400mV,TX3略多些;
当TX3开启mV高阻模式后,400mV全由TX3独得,7129表在0点附近或正或负地乱跳,可见不但1mV都没分得,回路电流小到连7129芯片的输入触发灵敏度都达不到了。
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