在测量电磁炉IGBT FGA25N120ANTD时,发现用F175电阻档给IGBT的G E极充下电,IGBT的C E可以导通(FGA25N120的C E电阻显示100K左右,H20R1203时 C E 导通显示电阻200欧姆左右)。而用F79III 二极管档给IGBT的G E极充电,IGBT的C E极却不能导通。( C E极显示电阻OL),按理F79III二极管档开路电压比F175的电阻档的开路电压高。给IGBT的G E充电,也应该能导通啊。(F175电阻档开路电压用F79III测量2.752V,F79III二极管档开路电压用F175测量是2.892V)从以上测量IGBT过程来看F175的电阻档开路电压应该比F79III的二极管档开路电压高?请有高端表的朋友测下F175电阻档的开路电压到底是多少V?谢谢! |