有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档那样的高内阻档位？
有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档约＞3000MΩ那样的高内阻档位？有没有人有这方面的资料，看了下289的手册，也Google了都没有找到相关的资料 是多高？ 220MV 内阻?是不是说要很高内阻的低压档? FLUKE289最小档是5V，对就的是10M，关机不变，毫伏档是50mV，对应5M，关机后为2M
回 3楼(baof) 的帖子
220mv当然不是内阻，我还不至于犯这样的错误，说明书上写的UT61E 220mv档的内阻是约＞3000MΩ 貌似 只有FLUKE 867B 有毫伏档 高内阻扩展功能Re:回 3楼(baof) 的帖子
引用第5楼phoenix2005于2011-03-0711:35发表的 回 3楼(baof) 的帖子 :220mv当然不是内阻，我还不至于犯这样的错误，说明书上写的UT61E 220mv档的内阻是约＞3000MΩ images/back.gif
有没有实测是多少？
回 7楼(redtony) 的帖子
没测，只是看手册上写的 我刚才翻了一下Fluke 289的中文说明书（第75页），直流毫伏档输入阻抗也是10M。各位请注意毫伏单位的写法，不是MV，也不是mv，而是mV。 还是张老师严谨啊，以前写论文不注意，导师审论文时给批了好几回！ 引用楼主phoenix2005于2011-03-07 10:40发表的 有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档那样的高内阻档位？ :
有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档约＞3000MΩ那样的高内阻档位？有没有人有这方面的资料，看了下289的手册，也Google了都没有找到相关的资料
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什么>3000MΩ，国人的毛病而已，喜欢夸大。对于应用而言，对输入阻抗的要求mV档总是比V档的时候低一点。 我有FLUKE289和UT70C两块万用表，用289红黑相互对应测试70C的mV档内阻是130M以上，用70C测试289的mV档内阻是10M，既然未标明mV档高内阻的70C内阻都是130M以上那标明高内阻的UT61E真有可能在mV档的内阻在3000M，就算国内爱夸大扣除水分500M总应该有的，从这点来说289还真不如70C。 这些天拆弄一台横河7532-02自动量程数字万用表（3位半），追踪有关线路，猛然发觉，有相当数量的自动量程的万用表（比如使用JRC9210，TSC815等IC的万用表，也包括这台横河，用的是“M6306”），其最高灵敏度的DCV挡，输入阻抗均为IC的输入阻抗（JFET或BI-MOSFET类），非常之高。而不是标称的10M欧姆——其他DCV挡靠10M欧姆作为串联电阻，来制作相应的衰减器的
本人实测，在此表串入330K的电阻之后，原显示174.9mV电压，仅下降为174.5mV，倒算过来，此挡（最高灵敏度的300mV挡）DC输入阻抗约为144M欧姆。
若横河的芯片输入管为JFET，而Ut61E用的是BI-MOSFET之类、绝缘上又能做得足够好的话，是有可能达到3G欧的。或者说，（如绝缘上未能做到）是允许他号称为3G欧姆的。呵呵 引用第14楼小鬼头于2011-03-0723:34发表的:
……
本人实测，在此表串入330K的电阻之后，原显示174.9mV电压，仅下降为174.5mV，倒算过来，此挡（最高灵敏度的300mV挡）DC输入阻抗约为144M欧姆。
若横河的芯片输入管为JFET，而Ut61E用的是BI-MOSFET之类、绝缘上又能做得足够好的话，是有可能达到3G欧的。或者说，（如绝缘上未能做到）是允许他号称为3G欧姆的。呵呵
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看了您的帖子，顺手实测了一下手头正开着当工作表的松下VP-2660B四位半台表的2V档，用一节读数稳定在1.2626V的镍氢电池串联3MΩ电阻后，读数只下降到1.2625V，然后在1.2625~1.2626之间跳动，照这个算法来计算，这表的2V档阻抗接近40GΩ…… 其实，如果某档位输入未并联分压电阻，且未经过运放，这档的阻抗基本就是AD芯片本身的阻抗，一般来说都是G欧级的。
如果某档位输入后未并联分压电阻，但是经过了运放，这档的阻抗基本就是输入运放的阻抗了，一般就是几十M欧到几百M欧之间，就像楼上鬼版的表200mV档144MΩ，我的那个松下台表200mV档56MΩ(用DT930F+的200MΩ档实测)
而一些结构简单的低端表，电压档输入端是直接和分压排阻的两端相连接的，然后通过切换分压排阻上的输出脚来切换量程，这类表的电压档的输入阻抗就基本是固定的了，一般常见的都是10M欧。 多谢各位的解释，心里有数了 用最大量程2000MΩ的万用表UT602测不出UT61E的220mV档的电阻，用289的电导档位测了下，得14.05nS，昏迷中。。。重新用289的电阻档测量得到71.1xMΩ，最后一位不停跳动，不知道是UT61E的说明书胡吹大气还是这么高的内阻数字万用表没法测量，等高人解惑 用两块万用表开机状态对测输入内阻，要用“复杂直流电路”概念来分析，而不能用简单的欧姆定律得结果。 引用第16楼i387dx于2011-03-0802:27发表的:
这类表的电压档的输入阻抗就基本是固定的了，一般常见的都是10M欧。 images/back.gif
准确一点来说，是约为10M欧姆。
从其误衰减器结构看，理论值大致具体为：
比最高灵敏度挡低一级的DCV挡（3V挡），为11.11M欧姆，
再次的 30V挡，为10.10M——10M与101K组成的分压器
再再次的300V挡，为10.01M——10M与10K组成的分压器
最后是1000V挡，为10.00M——10M与1K组成的分压器 引用第20楼小鬼头于2011-03-08 21:17发表的 :
准确一点来说，是约为10M欧姆。
从其误衰减器结构看，理论值大致具体为：
比最高灵敏度挡低一级的DCV挡（3V挡），为11.11M欧姆，
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其实，很多基于EBG1776排阻作为分压电阻的手持式4位半表，其阻抗是正好的10MΩ的。
很多4位半手持表中常用的EBG1776排阻中的一组电阻，数值分别为：
9MΩ、900KΩ、90K、9K、1K，
上述阻值相加正好就是10M。
在表的电路结构中看，外界输入的电压直接和排阻两端相连；换挡时，内部AD的输入端通过开关切换排阻的各个抽头：在1K端得到10000:1的分压比；在(9K+1K)端得到1000:1的分压比；在（90K＋9K＋1K）端得到100:1的分压比；在（900K+90K+9K+1K）端得到10:1的分压比。
由于外部输入端始终和排阻的两端相连，换挡只是切换排阻的各个抽头，而内部AD本身的输入阻抗是GΩ级别的，无论AD的输入端连接到那个排阻抽头上，整个排阻的电阻变化都小到可以忽略不计的程度。
因此，这种使用1776排阻的，靠切换排阻引脚来换挡而输入端始终和排阻两端相连的数字表，其各档的阻抗都是一样的10M欧的。像我们常见的DT930F+、VC9806+之类7129方案的手持式4位半数字表，基本上都是这个样子的…… 嗯。你说的也很对。看来，我们各自说的是不同的分压器（衰减器）
如果分压器是9MΩ、900KΩ、90K、9K、1K一路串下去的结构，那么，输入阻抗确实是10M欧姆。
而我说的那几个电路，均是有一只10M串在IC输入端，另有1.1M、101k、10k、1k四只电阻接到IC的不同引脚上，由IC内部开关选通其中一只，然后再与前面10M电阻串联，从而构成分压器的情形。采用JRC的NJU920X系列、TSC815芯片3位半数字表（其中一个IC还是4位半芯片）多采用这种分压器结构。 补一个图。就是我说的那种IC外接分压器图 说明书有的，就有。说明书没写的，就没有。
老爷表Fluke 8060A 就有（我猜8050A台式也应该有），DC 200mV档和2V档都可以高阻输入（琴键位置和标准的200mV、2V档有所区别），根据说明书，内阻分别是1G和10G 引用第21楼i387dx于2011-03-0916:56发表的:
其实，很多基于EBG1776排阻作为分压电阻的手持式4位半表，其阻抗是正好的10MΩ的。
很多4位半手持表中常用的EBG1776排阻中的一组电阻，数值分别为：
9MΩ、900KΩ、90K、9K、1K，
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对了。想了一事，你这种结构的表应该是手动量程万用表所采用的（而我所说的结构，前面已讲到了，是自动量程万用表用的）。否则，以这种结构与电子开关相配，在高压挡位时，与9MΩ、900KΩ电阻相接处的半导体器件需耐受甚高的电压，这样，会导致IC制造的成本大大增加。 引用第25楼小鬼头于2011-03-0922:04发表的:
对了。想了一事，你这种结构的表应该是手动量程万用表所采用的（而我所说的结构，前面已讲到了，是自动量程万用表用的）。否则，以这种结构与电子开关相配，在高压挡位时，与9MΩ、900KΩ电阻相接处的半导体器件需耐受甚高的电压，这样，会导致IC制造的成本大大增加。 images/back.gif
貌似，的确是这个理儿，常见的用这个结构的DT890、DT930、VC9806、MY65等等，都是手动的…… 引用楼主phoenix2005于2011-03-0710:40发表的 有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档那样的高内阻档位？ :
有没有人知道Fluke289有没有像Ut61E的220mv档约＞3000MΩ那样的高内阻档位？有没有人有这方面的资料，看了下289的手册，也Google了都没有找到相关的资料
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可以明确地告诉你，ut61e的220mv档确实内阻较高。 但这么高的内阻并没有给优利德万用表带来高精度和高准确度，相反，毫伏档内阻比它低得多的胜利vc86e的实测精度远远优于优利德ut61e。楼主想以内阻高来对比结论：fluke不如优利德吗？没明白用意，呵呵 引用第27楼只抽555于2011-09-1512:49发表的:
可以明确地告诉你，ut61e的220mv档确实内阻较高。 但这么高的内阻并没有给优利德万用表带来高精度和高准确度，相反，毫伏档内阻比它低得多的胜利vc86e的实测精度远远优于优利德ut61e。楼主想以内阻高来对比结论：fluke不如优利德吗？没明白用意，呵呵
你用fluke量量1M以上电阻两端的电压试试，这时神一样的fluke就是个狗屁。 引用第28楼newdc于2011-09-1515:15发表的:
你用fluke量量1M以上电阻两端的电压试试，这时神一样的fluke就是个狗屁。
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我从来不量1M电阻两端的电压，同样你用ut的高阻表测量10G电阻两端的电压也一样狗屁不是。拿极端的例子想证明什么呢，只能说你用得不是地方 试了下TX3，有mV高阻模式，普通模式下各档全程阻抗大于10M（确定），mV档高阻模式下远远大于10M，估计大于等于10G（估计）。
将TX3和7129表电压档（10M内阻）串联，接于400mV，TX3普通模式下，2表平分400mV，TX3略多些；
当TX3开启mV高阻模式后，400mV全由TX3独得，7129表在0点附近或正或负地乱跳，可见不但1mV都没分得，回路电流小到连7129芯片的输入触发灵敏度都达不到了。
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