MOS管用作探测电离辐射剂量
可惜做好了也没地方给标定,郁闷
不错的文章,不过这东西测量小的剂量率辐射,辐射引起的电流变化可能会被器件的漂移给掩盖掉{:142_363:} 本帖最后由 test01 于 2015-6-3 01:26 编辑
嗯,可以加低温恒温装置。当然就成了台式机
最大的问题是一般人没条件标定,只能当个盖革计数器使
本群大神们有谁可标定的
可以找开设核技术、核工程与核技术等相关专业的大专院校。 算了一下,灵敏度大约0.1nV/uSv/h,这个相对于9.2Vmv的本底数值显然太低了,测量值很容易被漂移所掩盖。测量高剂量时,可能效果要好一些。
实际上,用二极管反接,也是可以的
另外,论文中的测量方式并不严格,因为一般的,万用表内阻为10兆欧,远低于采样电阻{:142_363:} 凡是见过金硅面垒,Ge(Li)漂移探测器的都会知道这结构的商品MOSFET响应会有多差
好歹搞个PIN二极管啊!
更致命的失误在于那个空白对照的设置。
加速器一开,那可不光是电离辐射,电磁辐射也不小。
他们这玩意儿或许对手机来电都有反应,能说打电话的人吃了剂量么? archwang 发表于 2015-6-3 11:02
凡是见过金硅面垒,Ge(Li)漂移探测器的都会知道这结构的商品MOSFET响应会有多差
好歹搞个PIN二极管啊!
...
抛砖引玉之作。关键给个人玩家指出了半导体探测的线性度不错,成本低廉体积小。盖革管不便宜还没线性度
剩下就是找更适合的如pin呀光电池呀等,自己设计电路玩喽
标定?我能找到地方 不过这个测量环境估计很不准 nngogogo 发表于 2015-6-9 23:05
不过这个测量环境估计很不准
额,找到标定的地方不准?
MOS管用作探测电离辐射剂量 test01 发表于 2015-6-10 00:49
额,找到标定的地方不准?
标定没问题 就是用来测量环境本底不准 得有放射源才行 nngogogo 发表于 2015-6-10 20:41
标定没问题 就是用来测量环境本底不准 得有放射源才行
也是啊,对不同射线灵敏度不一样
不同波长的x光大概都灵敏度不一样
个人diy要精度又不需要标定,大概只有上电离室正比管了
test01 发表于 2015-6-10 23:59
个人diy要精度又不需要标定,大概只有上电离室正比管了
都需要标定吧!
nngogogo 发表于 2015-6-11 11:52
都需要标定吧!
好像不太需要
就是要标定也方便,这跟x射线波长无关了,只和能量成线性关系
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